基本技術 ＳｉＣパワーエレクトロニクス
SiC-MOSFETアレイによる高電圧半導体スイッチモジュールを搭載した高電圧パルス発生器を製作しています。太陽光発電や電気自動車などの分野がSiCの応用先としてよく知られていますが、高電圧パルス発生器においても、SiCを搭載することで、これまでの製品では到達できなかった性能を実現することができます。高出力（超低オン抵抗）、高速スイッチング、高繰り返し周波数を兼ね備えた高電圧パルス発生器は、医療用の荷電粒子加速器（SiC加速器中性子源）をはじめ、表面改質処理、薄膜作成処理、超微粒子の大量合成処理、排ガス処理、岩石破砕処理等の実現に寄与します。
応用技術
ホウ素中性子捕捉療法
中性子と反応しやすいホウ素薬剤をがん細胞に取り込ませ、中性子とホウ素薬剤との反応を利用して、正常細胞にあまり損傷を与えず、がん細胞のみを選択的に破壊する治療法です。この治療法は、がん細胞と正常細胞が混在している悪性度の高い脳腫瘍をはじめとするがんに特に効果的で、がん細胞だけを選択的に破壊するため、体への負担が少なく、生活の質（ＱＯＬ）の面で非常に優れています。
産業用新素材
中性子を物質に照射すると、一部が中性子を吸収して異なる物質に変化します。これによって元の物質中に微量の他の元素を混在させることができます。例えばシリコン単結晶に照射すると、一部のシリコンがリンに変わります。これを中性子ドーピング（NTD）法と呼びます。NTD 法により製造されたn 型半導体（NTD-Si、或いはNTD-SiC）は抵抗値の均一性が非常に優れているため、大口径サイリスタ、大口径ダイオードなどパワーデバイスの更なる高性能化に寄与します。
医療用アイソトープ
放射性医薬品とは、RI（ラジオアイソトープ）を用いた医薬品です。核医学検査に最も多く使用されているテクネチウム（Tc-99m）の供給が、テクネチウムの親核種であるモリブデン（Mo-99）の供給が途絶えたことで危機的な状況になりました。その製造に高濃縮ウランを用いるため、日本は海外からの輸入に１００％依存していますが、国内での供給体制の構築に寄与します。